Пост 22389

Воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ, входит в группу компаний «Элемент») анонсировал выпуск новых мощных СВЧ транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратурыРазработка ориентирована на работу в условиях жестких температурных и эксплуатационных режимов.Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт, однако различаются по ряду ключевых характеристикПри проектировании транзистора ТНГ 131005‑28 основной задачей была обеспечить работу транзистора в Ku-диапазоне частот. С ней разработчики справились, реализовав первый отечественный дискретный транзистор, обеспечивающий непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13,5 ГГц. При этом транзистор показывает одни из лучших значений усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50 % для дискретных транзисторов в корпусеПри проектировании транзистора ТНГ 60005‑28П основной задача было уменьшение габаритных размеров и обеспечение возможности групповой сборки печатных плат на линиях поверхностного монтажа при сохранении эксплуатационных характеристик на рабочих частотах до 6 – 8 ГГц. Задаче была решена путем разработки конструкции транзистора и реализации его сборки в металлополимерный корпус DFN3x3-6L размером 3x3 ммТранзистор ТНГ 60005‑28П является самым миниатюрным отечественным дискретным транзистором, обеспечивающим выходную мощность более 10 Вт на частотах до 6 – 8 ГГц. При этом транзистор за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса обеспечивает лучшие частотные свойства и большее усиление (Кур ≥ 17,4 дБ) по сравнению с аналогами в металлокерамическом корпусе. При этом КПД ≥ 56 % соответствует значениям, обеспечиваемым транзисторами в металлокерамикеОбе разработки имеют значительный запас по напряжению — до 130 В. Указанные особенности делают транзисторы востребованными в ключевых узлах передатчиков, радиолокационных станций, систем связи и радиоэлектронной борьбы, где экстремально лучшие характеристики является обязательным требованиемРазвитие GaN‑направления в группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей